紫光表示，2017年，长江存储成功研发了中国首颗拥有自主知识产权的32层MLC 3D NAND闪存芯片，实现了中国三维闪存产业“零”的突破。该芯片的存储容量为8GB至32GB，目前已通过企业级验证并进行小规模的批量生产，主要应用在U盘，SD卡，机顶盒及固态硬盘等领域。

此后，长江存储基于不断的自主研发和创新，推出了第二代具备完全自主知识产权的64层256Gb TLC 3D NAND闪存，它拥有全球同代产品中最高的存储密度，将广泛应用在智能手机，个人电脑，服务器等领域。长江存储64层三维闪存既是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品，也是中国企业首次实现64层3D NAND闪存芯片的量产，标志着长江存储已成功走出了一条高端芯片设计制造的创新之路。

紫光表示，Xtacking是长江存储在3D NAND闪存架构上的一次重大创新，在世界闪存发展史上具有举足轻重的意义。通过芯片架构设计上的变化，Xtacking能够使3D NAND闪存拥有更快的I/O传输速度，使3D NAND闪存能拥有更高的存储密度，相比传统架构，芯片面积可减少约25%。

同时，Xtacking技术还实现了模块化的设计工艺，能够有效提升了研发效率并缩短了生产周期，为NAND闪存的定制化提供了更多可能。

目前，Xtacking技术被主要应用在长江存储64层及更高规格的三维闪存上。

为了给行业用户带来更多的价值，长江存储未来还将推出Xtacking 2.0创新架构。作为升级换代技术，Xtacking 2.0将够进一步提升NAND芯片的吞吐速率、提升系统级存储的综合性能、开拓定制化NAND全新商业模式等。未来，Xtacking 2.0技术将应用在长江存储第三代3D NAND闪存产品中，会广泛应用于数据中心，企业级服务器、个人电脑和移动设备等领域，这将开启高性能、定制化NAND解决方案的全新篇章。