长鑫存储投产的这款DRAM芯片采用19nm工艺，与国际巨头仍有差距。但该产品填补了国产DRAM芯片的空白，具有开拓意义。未来仍面临严峻挑战

经过几年摸索，中国首款自主研发的DRAM芯片投产，预计年底正式交付。

9月20号召开的2019世界制造业大会上，长鑫存储董事长兼首席执行官（CEO）朱一明介绍，长鑫存储研发的10纳米级第一代8Gb核心的双倍数据速率（DDR4）内存芯片已经投产。该芯片已经通过多个国内外大客户验证，将于今年年底正式交付。另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。

长鑫存储投产的这款DRAM芯片采用19nm工艺，与国际巨头仍有差距。

10纳米级工艺已经历两次技术迭代，最初为1X nm工艺，介于16-19nm之间；1Y nm工艺在14-16nm之间，最新的1Z nm工艺在12-14nm之间。2019年3月，三星宣布开发1Z纳米工艺的8GbDDR4产品。

尽管工艺上有差距，但这款产品填补了国产DRAM芯片的空白。一位业内资深人士表示，受益于该芯片推出，中国存储器可以实现中低端领域的部分替代，对国际DRAM存储巨头的市场策略也有一定的平衡作用。