今年以来缺芯问题一直是萦绕在国际上的大问题，华为被老美制裁断供芯片以后引起国内外轩然大波，芯片也是今年在互联网上最热的一个词，如何尽快摆脱西方世界对中国的芯片垄断，是眼下最重要的问题。

早在去年上半年的时候中芯国际就已经传出消息称，已经找到了生产7纳米芯片的方案，也可以理解为代替7纳米芯片的方案。因为这种生产7纳米芯片的方案，并不是传统依靠EUV光刻机来制造芯片，这种技术叫做“N+1”工艺，可以理解为中芯国际二代先进芯片的代号。另外需要注意的是，这种芯片的其实并不代表真正的7纳米芯片，根据预测这种芯片的性能，非常接近于台积电的10纳米芯片工艺。但是性能的稳定性上，和功耗方面又同现在市场上的7纳米芯片相差无几，而这种工艺相比较于14纳米芯片的功耗降低了一半以上，接近60%，而在性能方面又提高了20%左右，不过现在市场上一般是要求提升35%左右，所以距离真正意义上的7纳米芯片还有些差距，不过相差15%的性能，也是唯一的差距。

这种工艺在业界被广泛认为是相当于台积电的第一代7纳米芯片，这种工艺因为不用涉及到EUV光刻机，所以成本低了很多。同时中芯国际也表示会在N+1的基础上继续提升，后期会推出N+2工艺的芯片，而N+2的功耗和前者并无区别，只是在性能上大幅度提升，这样一来就和真正意义上的7纳米芯片的性能非常相似了。但因为等于7纳米芯片的高规格工艺，所以在价格上相比较N+1还是有所提升的。

但是去年上半年的时候中芯国际就表示，N+1工艺芯片已经通过公司的检测，开始进入客户产品使用验证阶段。随后在9月份的时候，再次发布消息称N+1芯片已经通过了产品验证，年底将进入风险量产的阶段。但是一直到今年上半年，都再也没有任何关于中芯国际7纳米芯片的消息，而且在网上也没有查到任何有关于中芯国际N+1芯片的确切资料。让很多网友一度认为是不是这项工艺并不成熟，没有通过风险量产，或者客户产品使用不合格。

然而近期中芯国际在发布公司的财报后，除了告知大家现在中芯国际的收益和纯利润大涨之外，也针对大家关心的7纳米芯片做了正式的回应，回应称现在N+1工艺的7纳米芯片已经正式投入商用，而且订单越来越多，现在公司每月可以量产1.5万颗此类芯片。因为还有客户不断想尝试这类价格便宜而且比较先进的芯片，导致中芯国际的产能有点跟不上了，未来不排除扩建生产线的可能。

另外，据中芯国际负责人梁孟松称，N+1工艺芯片的出现其实是有特殊原因的，国内现在因为被阿斯麦断供光刻机，所以无法生产先进制程的芯片，只能另辟蹊径找到这种方式来代替，但是这种方式不会是主流的生产方式。而且因为全球芯片供应紧张，中芯国际的这种特殊工艺芯片，也能稍微缓解国际上缺芯的问题。

但是最重要的是梁孟松同时表示，在芯片生产制造上并没有所谓的超越其他厂商，也不存在大家说的跳跃式发展。说明中芯国际现在还是非常清楚局势，这种工艺的生产方式确实只是暂时的代替品，而传统方式的光刻机生产芯片仍然是主流。而中芯国际现在已经可以量产真正意义上的14纳米芯片，距离7纳米芯片的设计生产，中间还隔着12纳米和10纳米制程的芯片，所以我们还要看到差距的存在。当务之急还是要加快14纳米以下的芯片研发。另外，据中芯国际表示，目前N+2工艺的芯片也在有序研发，今年年底也将进入风险量产，所以14纳米以下的芯片研发可能还要往后推推。

同时这句话里也蕴含着更深层的意思，因为当下国内的芯片热度太高了，甚至已经有些不切实际，自媒体经常为了博得流量夸大其词，突破，弯道超车，打破垄断等等这种词不绝于耳。这种情况其实对国家发展芯片是非常不利的，许多资本注入行业看似为了发展芯片技术，其实不过是为了补贴和拉融资，根本没有任何实际性的计划实施。而且半导体产业本身就是高密集型，高技术型的产业，几百个亿砸进来可能连一点水花都翻不起，那些不着边际的技术论调更是无稽之谈，扰乱行业发展。研发芯片想弯道超车根本没有这个可能，要真正发展芯片，只能脚踏实地，一步一个脚印，以务实的精神，和艰苦奋斗的态度才能真正实现国产芯片自产。

在全国上下都对芯片产业关注的大环境下，不论是芯片还是光刻机的研发工作，都在稳步有序地进行之中。中芯国际能够快速找到办法代替7纳米芯片的方法，不仅抓住全球芯片产能降低的机会，同时也让我们看到芯片产业工作人员的努力，相信我们会更快突破西方国家对半导体领域的垄断。他们断供我们芯片，我们就成立半导体大学，培养半导体领域的人才，他们不卖我们光刻机，我们就分工研发不同的部件，早晚有一天我们会走出属于自己的路。