美企开辟EUV第二战场,美韩3家巨头掐架,国产芯片厂商面临考验

admin 2021-8-30 973

自2020年以来,内存芯片市场大涨,老玩家三星借此实现了营收的大幅增长。不过,随着美企加入内存市场的竞争,三星的日子也不好过起来。

美韩3家巨头掐架

根据美国半导体巨头美光科技在此前财报会议上的说法,公司正在与光刻机大厂ASML开展谈判工作,预计在2024年,美光将采用ASML的EUV光刻机生产存储芯片。

根据EETOP的说法,目前的存储芯片生产并不使用高端的EUV光刻机,上一代深紫外光刻机便可以满足存储芯片的生产需求。

而根据快科技此前的消息,美光将由1γ(gamma)工艺节点开始导入,使用EUV工艺的存储芯片预计将在2024年进入量产阶段。

其实,美光不是第一家使用EUV技术生产存储芯片的厂商。快科技指出,在美光之前,三星和SK海力士已经在去年年底便布局EUV工艺,且在技术推进上更为激进。

众所周知,EUV工艺节点意味着更高的成本投入,而美光、三星等巨头之所以不惜重金投入,无非是看到了存储芯片市场巨大的潜力,想通过更先进的产品性能来吸引客户。与如此庞大的市场规模相比,购买EUV光刻机的支出显得“微不足道”。

国产芯片厂商面临考验

美韩3家巨头的背后,光刻机巨ASML赚得盆满钵满。根据韩国媒体BusinessKorea此前的报道,ASML将赴韩国建厂,助力三星和SK海力士扩充产能。

以三星为例,根据业界消息,三星计划在今年共引进10台EUV光刻机,而三星用于生产存储芯片的EUV光刻机将达到6台。而对于ASML来说,一台EUV光刻机的造价便高达1.35亿美元,仅三星一个大客户便可以带来可观的营收。

不过,几家欢喜几家愁。对于国内的存储芯片厂商来说,美企韩企的“混战”,无疑意味着更大的挑战。

StrategyAnalytics的数据显示,今年一季度,三星在智能手机NAND闪存芯片市场的占比达到42%,在DRAM存储芯片市场的占比同样高达54%,霸主地位毋庸置疑。而排在三星之后的,正是SK海力士和美光。

而对于国内厂商来说,在市场份额、技术水平并不占优势的情况下,三星等巨头又有了EUV光刻机的加持,国内厂商想要追赶无疑是难上加难。

在国内,长江存储、合肥长鑫等均是国产存储的希望。2020年4月,长江存储发布了两款128层3DNAND闪存芯片,在先进工艺上迈出了重要一步。

而合肥长鑫也在2019年成功量产19nm工艺的DRAM存储器产品,并开始向更为先进的17nm等演进。

不过,虽然国内厂商极力追赶,与国际巨头的差距仍明显存在。目前,DRAM存储芯片的工艺制程已经推进至10nm左右,且国内厂商还需克服量产的良品率等问题,可谓任重而道远。

美企韩企的混战给国内厂商敲响了警钟,国内企业唯有加速自主研发,才能摆脱核心工艺受制于人的局面,国产存储芯片终将在国际舞台大放异彩。


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