去年中国进口集成电路金额超过3500亿美元，其中约有25-30%左右为存储芯片，主要就是NAND闪存和DRAM内存，而主要供应方为三星、SK海力士、美光、东芝、西部这些厂商。

而国产存储芯片厂商，主要也有两家，分别是长江存储和长鑫存储，长江存储主攻NAND闪存，而长鑫存储主攻DRAM内存。

而现在，国产内存有了新玩家了，那就是兆易创新。在6月3日，国产存储芯片巨头兆易创新宣布，其首款自有品牌4Gb DDR4产品GDQ2BFAA系列现已量产，实现从设计、流片，到封测、验证的全面国产化。

而兆易创新这次量产的DDR4芯片，工艺是19nm，与长鑫目前的19nm工艺基本是保持一致的，而预计接下来的工艺是17nm，大约在2021年底或2022年初实现。

那么目前三星、美光工艺是多少？由于在内存领域，大家并不直接说多少纳米工艺，是以1Xnm、1Ynm、1Znm、1αnm、1βnm、1γnm来替代的。

三星、美光对外表示的工艺是1αnm工艺，其实是14nm工艺，而长鑫存储、兆易创新的19nm工艺，称之为1Xnm，很明显，相较于全球最牛的三星，已经只有3nm的差距了，努力一把，说不定就要追上了。

为何兆易创新在内存领域，这么容易就实现了0的突破，缘于兆易创新本来就是一家存储芯片厂商，成立于2005年的兆易创新，这16年在存储芯片领域，可是拿下了很多个第一名的。

比如成功研发了国内第一颗SPI NOR Flash产品、第一颗静态存储器及IP技术、推出了国内首款基于ARM Contex-M3内核的32通用MCU产品。

此外，兆易创新还是全球排名第一的无晶圆厂NOR Flash供应商，SPI NOR Flash领域市占率国内第一、全球第三，有着深厚的积累，所以从NOR Flash领域，跨界到DRAM领域，也就显得顺理成章了。

不过要注意的是，兆易创新也是Fabless模式，即自己不生产芯片，只设计芯片，然后交给专业的芯片代工企业来生产，之前兆易创新的订单多是交给中芯国际，这次的DRAM是谁来生产的，暂时还不清楚。