国产DRAM内存:采用19nm工艺制造,不比三星、镁光差多少

admin 2019-6-18 2763

说起国产芯片,大家都知道较之国际顶尖水平,是相对较落后的,尤其是芯片制程上,比之国际顶尖水平,差不多有3代的差距。

比如目前中芯国际的水平是28nm、华虹半导体的水平也是28nm,而台积电已经迈入7nm时代,甚至最近还传出正式启动2nm工艺的研发,不过中芯国际今年会进入14nm时代了,也算是好消息了。

也正因为如此,所以一说国产芯片有什么突破,网友们都要质疑,说技术怎么样,是不是落后产品,因为大家的潜意思里总是觉得国产在芯片方面会落后些,甚至有可能是捡了国外的落后生产线来生产。

所以最近当长鑫存储表示今年会推出8GB的DDR4内存时,网友们也是持怀疑态度,称是不是制程比较落后?所以生产出来的产品,会不会性能较之三星、SK海力士、镁光等会不会有较大的差距?

但我要告诉你,这次国产内存并没有采用落后的制程工艺哦,长鑫存储要量产的DDR4内存采用的是19nm工艺,这也是全球第四家采用20nm以下工艺的内存厂商。

前三大厂商自然是三巨头三星、SK海力士、镁光了。三星在DDR4上目前采用的是主要是14nn工艺,SK海力士、镁光主流产品采用的也是14nm工艺,而下一代则是10nm工艺,目前三大厂已研发成功,但并没有大批量生产,预计会在今年三季度或年底才会大规模生产。

可见,相比于三星、SK海力士、镁光,长鑫存储的工艺也只相差了一代左右,而这一代的差距体现在产品上,差距应该会有的,但差距并不会那么明显的,而按照长鑫的计划,明年会研发17nm,到2021年会进步到10nm左右。

所以说,在内存方面,这次我们真的不是按照落后的工艺来的,完全和三星、SK海力士、镁光等大厂相差不太大,大家要对国产内存有信心一点。



上一篇:唇亡则齿寒!不愿成为“第二个华为”,ARM把放弃美方技术提上日程!
下一篇:一举打破欧美垄断!我国首次摘下一航天桂冠,把美国远远甩在后面
最新回复 (0)
返回