说起国产芯片，大家都知道较之国际顶尖水平，是相对较落后的，尤其是芯片制程上，比之国际顶尖水平，差不多有3代的差距。

比如目前中芯国际的水平是28nm、华虹半导体的水平也是28nm，而台积电已经迈入7nm时代，甚至最近还传出正式启动2nm工艺的研发，不过中芯国际今年会进入14nm时代了，也算是好消息了。

也正因为如此，所以一说国产芯片有什么突破，网友们都要质疑，说技术怎么样，是不是落后产品，因为大家的潜意思里总是觉得国产在芯片方面会落后些，甚至有可能是捡了国外的落后生产线来生产。

所以最近当长鑫存储表示今年会推出8GB的DDR4内存时，网友们也是持怀疑态度，称是不是制程比较落后？所以生产出来的产品，会不会性能较之三星、SK海力士、镁光等会不会有较大的差距？

但我要告诉你，这次国产内存并没有采用落后的制程工艺哦，长鑫存储要量产的DDR4内存采用的是19nm工艺，这也是全球第四家采用20nm以下工艺的内存厂商。

前三大厂商自然是三巨头三星、SK海力士、镁光了。三星在DDR4上目前采用的是主要是14nn工艺，SK海力士、镁光主流产品采用的也是14nm工艺，而下一代则是10nm工艺，目前三大厂已研发成功，但并没有大批量生产，预计会在今年三季度或年底才会大规模生产。

可见，相比于三星、SK海力士、镁光，长鑫存储的工艺也只相差了一代左右，而这一代的差距体现在产品上，差距应该会有的，但差距并不会那么明显的，而按照长鑫的计划，明年会研发17nm，到2021年会进步到10nm左右。

所以说，在内存方面，这次我们真的不是按照落后的工艺来的，完全和三星、SK海力士、镁光等大厂相差不太大，大家要对国产内存有信心一点。